6인치 사이즈까지 어닐링 처리
최대 6 인치 웨이퍼를 대상으로 한 가열 장치입니다.
Si 반도체와 화합물 반도체, 유리 기판 등의 프로세스에서 고속 가열 / 냉각을 분위기 가변 하에서 가능합니다.
열처리 | 측정 온도 범위 | 측정 분위기 | 시료 형상, 치수 |
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실온 ~ 1100 ℃ | 대기 중 불활성 가스중(진공) |
최대 6 인치 웨이퍼 |
해당제품소개
각종 분위기에서 가열시험
각종 재료의 어닐링, 가스퀜칭 등 급속 / 저속 가열 처리를 분위기 가변 하에서 가능합니다.
분위기 가변 열처리 |
측정 온도 범위 | 측정 분위기 | 시료 형상, 치수 |
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실온 ~ 1000 ℃ | 대기 중 불활성 가스(진공) |
길이 50㎜ × 100㎜ × 두께 1 ~ 10㎜ ※ 상담 요 |
해당제품소개
작은 시험편의 가열시험
비교적 작은 시료의 급속 가열 / 냉각이 자유로운 분위기에서 클린하게 할 수 있습니다.
열처리 | 측정 온도 범위 | 측정 분위기 | 시료 형상, 치수 |
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실온 ~ 1200 ℃ | 대기 중 불활성 가스(진공) |
최대 사각 20㎜ × 두께 2㎜ |
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작은 시험편의 고온가열시험
작은 시료의 1800℃까지 초고온 가열이 가능합니다.
열처리 | 측정 온도 범위 | 측정 분위기 | 시료 형상, 치수 |
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실온 ~ 1800 ℃ | 대기 중 불활성 가스(진공) |
최대 φ6㎜ × 6㎜ |
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